晶体管结构及其制备方法专利登记公告

专利名称：晶体管结构及其制备方法

摘要：本发明的晶体管结构包含一半导体基板；一导电区块，设置于该半导体基板之中；一栅极介电层，设置于该导电区块及该半导体基板之间；一鼓形介电结构，设置于该导电区块及该栅极介电层之上。本发明同时涉及一种晶体管结构的制备方法。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110164962.7

专利申请（专利权）人：南亚科技股份有限公司

专利发明（设计）人：黄庆玲;吴铁将

主权项：一种晶体管结构(60)，包含：一半导体基板(61)；一导电区块(73)，设置于该半导体基板(61)之中；一栅极介电层(69B)，设置于该导电区块(73)及该半导体基板(61)之间；一鼓形介电结构(90)，设置于该导电区块(73)及该栅极介电层(69B)之上。

专利地区：台湾