GaN基的MS栅增强型高电子迁移率晶体管及制作方法专利登记公告

专利名称：GaN基的MS栅增强型高电子迁移率晶体管及制作方法

摘要：本发明公开了一种GaN基的MS栅增强型高电子迁移率晶体管及制作方法，主要解决GaN基增强型器件电流密度低以及可靠性低的问题。该器件结构为：衬底(1)上依次设有过渡层(2)和GaN主缓冲层(3)，GaN主缓冲层中间刻蚀有凹槽(4)，凹槽两侧的GaN主缓冲层(3)上方为AlGaN主势垒层(5)，凹槽内壁以及凹槽两侧的AlGaN主势垒层(5)表面依次设有GaN次缓冲层(6)和AlGaN次势垒层(7)；AlGaN次势垒层(7)上为源级(8)、漏级(9)、栅极(11)和介质层(10)，源级(8)、漏级(9)分别位于

专利类型：发明专利

专利号：CN201210132145.8

专利申请（专利权）人：西安电子科技大学

专利发明（设计）人：张进成;张琳霞;郝跃;马晓华;王冲;艾姗;周昊;李小刚;霍晶;张宇桐

主权项：一种GaN基的MS栅增强型高电子迁移率晶体管，自下而上包括：衬底(1)、过渡层(2)和GaN主缓冲层(3)，其特征在于：GaN主缓冲层(3)的中间刻蚀有凹槽(4)，该凹槽(4)的底面为0001极性面，凹槽(4)侧面为非0001面，凹槽(4)两侧的GaN主缓冲层(3)上方为AlGaN主势垒层(5)，GaN主缓冲层(3)和AlGaN主势垒层(5)界面上形成主二维电子气2DEG层(12)；凹槽(4)的底面和侧面方向上以及凹槽两侧的AlGaN主势垒层(5)表面，依次设有GaN次缓冲层(6)和AlGaN次势垒层(7

专利地区：陕西