半导体器件、制造方法以及晶体管电路专利登记公告
专利名称：半导体器件、制造方法以及晶体管电路
摘要：一种晶体管电路包括：第一高电子迁移率晶体管；以及第二高电子迁移率晶体管，具有负阈值电压，其中第二高电子迁移率晶体管的源极耦接至第一高电子迁移率晶体管的栅极，以及第二高电子迁移率晶体管的栅极耦接至第一高电子迁移率晶体管的源极。本发明可以提高高电子迁移率晶体管的耐受电压。
专利类型：发明专利
专利号：CN201210031265.9
专利申请（专利权）人：富士通半导体股份有限公司
专利发明（设计）人：竹前义博;细田勉;佐藤俊哉
主权项：一种晶体管电路，包括：第一高电子迁移率晶体管；以及第二高电子迁移率晶体管，具有负阈值电压，其中所述第二高电子迁移率晶体管的源极耦接至所述第一高电子迁移率晶体管的栅极，以及所述第二高电子迁移率晶体管的栅极耦接至所述第一高电子迁移率晶体管的源极。
专利地区：日本
关于上述专利公告申明 : 上述专利公告转载自国家知识产权局网站专利公告栏目，不代表该专利由我公司代理取得，上述专利权利属于专利权人，未经（专利权人）许可，擅自商用是侵权行为。如您希望使用该专利，请搜索专利权人联系方式，获得专利权人的授权许可。