绝缘栅双极型晶体管及其制造方法专利登记公告

专利名称：绝缘栅双极型晶体管及其制造方法

摘要：一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法。所述绝缘栅双极型晶体管包括：缓冲层；位于缓冲层上的漂移层；位于漂移层上的发射极层和源极层，所述发射极层与源极层通过发射极金属电极相连；位于漂移层和发射极层上的绝缘栅极层，所述绝缘栅极层与漂移层和发射极层通过栅极氧化层相互隔离；位于绝缘栅极层和源极层上的绝缘层，所述绝缘栅极层和发射极金属电极通过绝缘层相互隔离；位于缓冲层内的集电极层，所述集电极层包括至少一个掺杂区，所述掺杂区与缓冲层的掺杂类型相反；位于缓冲层下的集电极金属电极，所述集电极金属电极与所述缓冲层、所述集电极层

专利类型：发明专利

专利号：CN201210163198.6

专利申请（专利权）人：上海宏力半导体制造有限公司

专利发明（设计）人：苟鸿雁;唐树澍

主权项：一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括：缓冲层；位于缓冲层上的漂移层；位于漂移层上的发射极层和源极层，所述发射极层与源极层通过发射极金属电极相连；位于漂移层和发射极层上的绝缘栅极层，所述绝缘栅极层与漂移层和发射极层通过栅极氧化层相互隔离；位于绝缘栅极层和源极层上的绝缘层，所述绝缘栅极层和发射极金属电极通过绝缘层相互隔离；位于所述缓冲层内的集电极层，所述集电极层包括至少一个掺杂区，所述掺杂区与缓冲层的掺杂类型相反；位于所述缓冲层下的集电极金属电极，所述集电极金属电极与所述缓冲层、所述集电极层的掺杂区均相互

专利地区：上海