基于原子层沉积技术的高浓度铒铝共掺放大光纤及其制造方法专利登记公告

专利名称：基于原子层沉积技术的高浓度铒铝共掺放大光纤及其制造方法

摘要：本发明涉及一种基于原子层沉积技术的高浓度铒铝共掺放大光纤及其制造方法，属光纤技术领域。本放大光纤由纤芯和包层组成，原子层沉积的铒铝混合薄膜位于纤芯结构中。本发明采用化学气相沉积法在特殊的改进化学气相沉积（MCVD）制棒机上依次进行包层及部分纤芯材料纯石英疏松层沉积，然后在石英疏松层上利用原子层沉积技术交替沉积Er2O3及Al2O3薄膜，得到光纤预制棒，最后进行拉制光纤。本发明中的基于原子层沉积技术的高浓度铒铝共掺放大光纤，具有均一性好、分散性高、掺杂浓度高、增益谱宽、放大效率高、结构简单、价位低廉、易于产业化生产等特点，可用于构建光纤激光器、光纤放大器及光纤传感器等。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110190433.4

专利申请（专利权）人：上海大学

专利发明（设计）人：孙晓岚;董艳华;李超;刘晓虹;谢莉彬

主权项：?一种基于原子层沉积技术的高浓度铒铝共掺放大光纤，包括纤芯（1）和包层（2），其特征在于所述纤芯（1）是由纯石英或掺杂少量高折射率的GeO2疏松层，及利用原子层沉积技术同时沉积适量具有放大功能的稀土元素铒离子和铝离子构成，所沉积的铒铝混合薄膜位于纤芯（1）中；所述包层（2）是由比纤芯（1）折射率低的纯石英构成。

专利地区：上海