一种具有布拉格结构包层单晶光纤及制备方法专利登记公告

专利名称：一种具有布拉格结构包层单晶光纤及制备方法

摘要：一种具有布拉格结构包层单晶光纤及制备方法，属于特种光纤领域，特别涉及单晶光纤的包层结构设计。提出一种具有阶跃折射率包层的单晶光纤，并介绍了其制备方法。该单晶光纤包括单晶纤芯(1)和围绕在单晶纤芯周围的，两种不同折射率的材料层(2、3)沿径向交替分布构成的布拉格结构包层，两种材料层各10～20层。该光纤制备方法的特点是使用MCVD法交替沉积两种不同折射率材料，形成高、低折射率层沿径向交替分布的结构。通过加热拉伸，使交替分布结构缩小，最终裹住单晶纤芯，形成布拉格结构包层。该光纤具有阶跃折射率包层，对光的束缚能力强，损耗小。使用该方法可以为不同材料单晶光纤制备阶跃折射率包层，扩展了各种不同材料单晶光纤的应用。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110196811.X

专利申请（专利权）人：北京交通大学

专利发明（设计）人：娄淑琴;鹿文亮;王立文;陈卫国;邹辉

主权项：一种具有布拉格结构包层单晶光纤，其特征在于：该单晶光纤包括单晶纤芯(1)和围绕在单晶纤芯周围的，两种不同折射率的材料层沿径向交替分布构成的布拉格结构包层，两种材料层各10～20层。

专利地区：北京