一种利用电场诱导制造聚合物柱面微透镜的微加工方法专利登记公告
专利名称:一种利用电场诱导制造聚合物柱面微透镜的微加工方法
摘要:一种利用电场诱导制造聚合物柱面微透镜的微加工方法,先在SiO2基材上加工形成透明导电栅线结构,旋涂SU-8胶,光刻显影成一圈支架,形成柱面电场等值面,再在SiO2基材的底部蒸镀导电ITO层,然后旋涂紫外光固化聚合物,再将透明模板压在紫外光固化聚合物上,使SU-8胶制成的支架压入聚合物薄膜中,再使用直流电源使平面的导电栅线结构在聚合物薄膜表面产生呈柱面的电场强度等值面,并形成柱面微透镜结构,在稳定电压值的电场下保持至聚合物流变形成柱面微透镜结构,最后采用紫外光曝光固化聚合物,脱去模板,即可得到所需的聚合物柱面微透镜阵列,本发明具有生产效率高、工艺简单、成本低的优点。
专利类型:发明专利
专利号:CN201110193099.8
专利申请(专利权)人:西安交通大学
专利发明(设计)人:丁玉成;邵金友;刘红忠;李欣;田洪淼;李祥明
主权项:一种利用电场诱导制造聚合物柱面微透镜的微加工方法,其特征在于,包括以下步骤:1)在SiO2基材上用光刻工艺加工出导电栅线结构的负图形,使用溅射沉积设备在图形化的光刻胶层上溅射一层厚度为纳米级的透明金属层,剥离掉光刻胶层即在透明的SiO2基材上就形成了透明导电栅线结构,之后在图形化模板上旋涂一层SU?8胶,并光刻显影,在图形区周围形成一圈支架,形成柱面电场等值面;2)用溅射沉积设备在SiO2基材的底部蒸镀导电ITO层;3)使用匀胶机在蒸镀有导电ITO的SiO2基材表面旋涂紫外光固化聚合物薄膜,紫外光固化聚合物薄膜的厚度为微米级;4)以0.5MPa的压力P将第一步制备的带有导电栅线结构的透明模板压在紫外光固化聚合物薄膜上,使SU?8胶制成的支架压入紫外光固化聚合物薄膜中,以控制导电栅线结构和紫外光固化聚合物薄膜之间的距离;5)使用直流电源,电压调节范围0?200V,在透明模板的导电栅线结构处接正极,在涂铺有紫外光固化聚合物薄膜的基材处接负极,平面的导电栅线结构会在紫外光固化聚合物薄膜表面产生呈柱面的电场强度等值面,静电场产生的静电压强会改变紫外光固化聚合物薄膜的内压分布,使其按柱面电场强度等值面的分布进行流变,并形成柱面微透镜结构;6)使紫外光固化聚合物在稳定电压值的电场下保持20分钟至2小时,直至聚合物流变形成柱面微透镜结构;7)采用365nm波长的紫外光,曝光固化聚合物,脱去模板,即可得到所需的聚合物柱面微透镜阵列。
专利地区:陕西
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