半导体装置及其制造方法、与微机电系统装置的制造方法专利登记公告

专利名称：半导体装置及其制造方法、与微机电系统装置的制造方法

摘要：本发明是关于一种半导体装置及其的制造方法、与微机电系统装置的制造方法。其中的半导体装置的制造方法包含形成一基材、形成块状硅的可移动件、形成第一凸起结构于可移动件的第一表面上，其中第一表面面对基材。本发明可使一些工艺使用高温退火，且可以降低成本，并可降低沾粘和寄生电容，非常适于实用。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110205205.X

专利申请（专利权）人：台湾积体电路制造股份有限公司

专利发明（设计）人：徐家保;朱家骅

主权项：一种半导体装置的制造方法，其特征在于该方法包含：形成一基材；形成一绝缘层于该基材上方；形成一块状硅层于该绝缘层上方；图案化该块状硅层且移除部分的该绝缘层，以形成块状硅的一可移动件；以及形成一第一凸起结构于该可移动件的一第一表面上，其中该第一表面面对该基材。

专利地区：台湾