一种晶圆级真空封装的红外探测器及其制作方法专利登记公告

专利名称：一种晶圆级真空封装的红外探测器及其制作方法

摘要：本发明公开了一种晶圆级真空封装的红外探测器及其制作方法。本发明采用2片晶圆键合的方式来实现红外探测器的制作及实现其晶圆级封装，其优点是：把CMOSIC与MEMS器件分开制作，既实现与CMOSIC的集成，又增加MEMS红外探测器器件制作的灵活性，又能同时实现晶圆级封装，降低封装成本。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210088369.3

专利申请（专利权）人：江苏物联网研究发展中心

专利发明（设计）人：欧文

主权项：?晶圆级真空封装的红外探测器，包括第一片晶圆（101）和第二片晶圆（201），其特征是：所述第一片晶圆（101）为常规的硅片，采用标准的CMOS?IC制作工艺制作出红外探测器的读出电路，同时利用CMOS?IC的最后一层金属制作出红外探测器共振吸收结构的反光板（104）；所述第二片晶圆（201）为Si片或Ge片或GaAs或GeSi片，第二片晶圆（201）上制作有MEMS探测器器件，其中的红外吸收层（206）与第一片晶圆的反光板（104）构成共振吸收结构，增强红外吸收效率；在第一片晶圆（101）有反光板（10

专利地区：江苏