一种晶圆级MEMS器件的真空封装结构及封装方法专利登记公告

专利名称：一种晶圆级MEMS器件的真空封装结构及封装方法

摘要：本发明涉及一种晶圆级MEMS器件的真空封装结构及封装方法，所述晶圆级MEMS器件的真空封装结构，包括第一晶圆，所述第一晶圆的正面上设有ASIC电路，所述第一晶圆背面的下方设有第二晶圆；第一晶圆的背面设有凹槽，所述凹槽的槽口对应第二晶圆；所述凹槽内设有吸气剂激活结构，所述吸气剂激活结构覆盖凹槽并覆盖在第一晶圆的背面；凹槽的槽底设有吸气剂；第二晶圆上设有MEMS结构，所述MEMS结构位于吸气剂的正下方；所述第一晶圆与第二晶圆采用真空键合连接成一体，并在第一晶圆与第二晶圆间形成真空腔体，MEMS结构位于真空腔体

专利类型：发明专利

专利号：CN201210088182.3

专利申请（专利权）人：江苏物联网研究发展中心

专利发明（设计）人：张昕;欧文;明安杰;谭振新;赵敏;罗九斌;顾强

主权项：?一种晶圆级MEMS器件的真空封装结构，其特征是：包括第一晶圆（1），所述第一晶圆（1）的正面上设有ASIC电路（2），所述第一晶圆（1）背面的下方设有第二晶圆（10）；第一晶圆（1）的背面设有凹槽（17），所述凹槽（17）的槽口对应第二晶圆（10）；所述凹槽（17）内设有吸气剂激活结构（13），所述吸气剂激活结构（13）覆盖凹槽（17）并覆盖在第一晶圆（1）的背面；凹槽（17）的槽底设有吸气剂（7）；第二晶圆（10）上设有MEMS结构（9），所述MEMS结构（9）位于吸气剂（7）的正下方；所述第一晶圆（

专利地区：江苏