基于硅基的气密性封装外壳专利登记公告

专利名称：基于硅基的气密性封装外壳

摘要：本发明公开了一种基于硅基的气密性封装外壳结构，该外壳采用单晶硅作为气密性封装材料，用于对MEMS芯片进行气密性封装。外壳包括管座和盖帽，管座为带有凹槽的单晶硅片，凹槽槽底带有通孔，通孔内镀有导电金属材料，通孔作为TSV信号通道，凹槽内用于放置待封装的MEMS芯片，盖帽为单晶硅片，用于与管座键合。盖帽与管座键合可以采用硅-硅直接键合，或者共晶键合的方式。硅作为一种气密性材料，可以用于气密性封装。本发明不需要高温烧结工艺，并且可以降低封装成本。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210056917.4

专利申请（专利权）人：华中科技大学

专利发明（设计）人：刘胜;汪学方;方靖;吕植成

主权项：一种基于硅基的气密性封装外壳，其特征在于，该外壳采用单晶硅作为气密性封装材料，用于对MEMS芯片进行气密性封装。

专利地区：湖北