紫外光配合反应气体的掩模板清洗方法专利登记公告

专利名称：紫外光配合反应气体的掩模板清洗方法

摘要：本发明紫外光配合反应气体的掩模板清洗方法解决了现有技术中，使用光掩模对硅片进行光刻会产生雾状缺陷，导致产品合格率低，而采用湿法清洗会增加大量成本及延长时间周期的问题，使用紫外光配合反应气体对掩模板进行干法刻蚀，有效去除掩模板表面的有机残留和雾状缺陷，且无需将掩模板表面的保护膜移除，一次即可完成清洗。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110206400.4

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：朱骏;张旭昇

主权项：一种紫外光配合反应气体的掩模板清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：????步骤a：通过一掩模板传送装置将一掩模板传送至一密封紫外线膜腔内；????步骤b：在紫外线模腔内通入反应气体；????步骤c：通过紫外线光源发射出紫外光对掩模板上具有缺陷的部分进行照射，激发混合气体，对掩模板上具有缺陷的部分进行干法刻蚀。

专利地区：上海