高亮度发光二极管专利登记公告

专利名称：高亮度发光二极管

摘要：一种高亮度发光二极管，包含基板、导体层、第一半导体层、发光层、第二半导体层、第一电极、第二电极以及绝缘结构。导体层、第一半导体层、发光层及第二半导体层自基板的上镀化层，依序向上叠设。第一电极与导体层电性连接，而第二电极穿越导体层、第一半导体层及发光层使上镀化层与第二半导体层电性连接。绝缘结构包含至少二保护层，其环周式地裹覆第二电极，且至少二保护层的各个厚度符合分布式布拉格反射镜的厚度，以共同作为高反射率的反射镜。本发明利用裹覆于第二电极的绝缘结构以作为反射镜，借以将朝侧面散射的光线大致上朝单一方向集中利用

专利类型：发明专利

专利号：CN201110219433.2

专利申请（专利权）人：隆达电子股份有限公司

专利发明（设计）人：黄坤富;张峻荣;郭奇文;陈俊荣;方国龙;赵志伟

主权项：一种高亮度发光二极管，其特征在于包含：一基板，该基板上形成有一上镀化层；一导体层，设置于该上镀化层上方；一第一半导体层，设置于该导体层上；一发光层，设置于该第一半导体层上；一第二半导体层，设置于该发光层上；一第一电极，与该导体层电性连接；一第二电极，具有相对的二端部，该第二电极穿越该导体层、该第一半导体层及该发光层，并以二该端部分别与该上镀化层及该第二半导体层电性连接；以及一绝缘结构，包含至少二保护层，该至少二保护层环周式地裹覆该第二电极，使该第二电极与该导体层、该第一半导体层及该发光层电性绝缘，各该保护

专利地区：台湾