具有低米勒电容的超级介面的功率晶体管及其制作方法专利登记公告

专利名称：具有低米勒电容的超级介面的功率晶体管及其制作方法

摘要：本发明是有关于一种具有低米勒电容的超级介面的功率晶体管及其制作方法。该具有低米勒电容的超级介面的功率晶体管的制作方法，是在具有第一电性的第一层体上，形成具有第二电性的第二层体，再在第二层体上形成介电层及导电层，接着自导电层向下间隔地形成沟渠与连接孔，然后在沟渠内填覆具有第一电性的半导体材料后进行热处理使载子扩散入第二层体中而转变为具有第一电性的第一区及具有第二电性的第二区，再移除半导体材料，最后形成源极区与源极结构而制得功率晶体管，本发明主要是利用热处理使载子扩散形成第一及第二区进而形成晶格连续的超级介面

专利类型：发明专利

专利号：CN201110220526.7

专利申请（专利权）人：茂达电子股份有限公司

专利发明（设计）人：林永发;徐守一;吴孟韦;陈面国;石逸群

主权项：一种具有低米勒电容的超级介面的功率晶体管，其特征在于：其包含一个漏极结构、一个路径结构、一个源极结构，以及一个栅极结构，该漏极结构以具有第一电性的半导体材料所形成，该路径结构以半导体材料构成并与该漏极结构连结，该路径结构包括一个具有第一电性的第一区、一个具有相反于该第一电性的第二电性的第二区，及一个远离该漏极结构并与该第一区间隔且具有第一电性的源极区，该第一区及该第二区的界面是晶格连续面，该源极结构与该源极区连结并用于对外电连接，该栅极结构包括一层形成在该路径结构上并与该第二区连结的介电层，及一层形成在该

专利地区：台湾