闪存单元结构以及闪存装置专利登记公告

专利名称：闪存单元结构以及闪存装置

摘要：本发明提供了闪存单元结构以及闪存装置。根据本发明的闪存单元结构包括：L形ONO结构、布置在L形ONO结构的直角内侧的控制栅极多晶硅、布置在控制栅极多晶硅的相对于所述L形ONO结构的另一侧的二氧化硅区域、布置在二氧化硅区域的相对于控制栅极多晶硅的另一侧的字线多晶硅、以及布置在L形ONO结构的相对于控制栅极多晶硅的另一侧的位线。本发明提出一种新型的闪存单元结构以及闪存装置，充分利用硅衬底垂直方向的尺寸，实现L形的沟道，利用ONO结构作为存储材料，可以完成读、写、搽写的操作。与传统闪存器件相比，器件沟道的主要部

专利类型：发明专利

专利号：CN201210061965.2

专利申请（专利权）人：上海宏力半导体制造有限公司

专利发明（设计）人：张雄

主权项：一种闪存单元结构，其特征在于包括：L形ONO结构、布置在所述L形ONO结构的直角内侧的控制栅极多晶硅、布置在所述控制栅极多晶硅的相对于所述L形ONO结构的另一侧的二氧化硅区域、布置在所述二氧化硅区域的相对于所述控制栅极多晶硅的另一侧的字线多晶硅、以及布置在所述L形ONO结构的相对于所述控制栅极多晶硅的另一侧的位线。

专利地区：上海