一种增强型石墨烯场效应晶体管专利登记公告

专利名称：一种增强型石墨烯场效应晶体管

摘要：目前，石墨烯已成为国内外科学家的研究热题。现在石墨烯主要应用到场效应晶体管中作为沟道材料，但由于石墨烯是零带隙材料，具有室温下弹道效应，它一直处于“开”的状态，限制了它在电子领域的应用。为了克服上述缺点，本发明提出了一种增强型石墨烯场效应晶体管，属于微电子学和固体电子学领域，其发明的器件结构包括：栅极区、源极区、漏极区、沟道区和源漏半导体掺杂区，其中沟道区由石墨烯层和沟道半导体掺杂层两部分组成，N型器件沟道半导体掺杂层为P型杂质，P型器件沟道半导体掺杂层为N型杂质。采用本发明所述的器件结构，使器件实现开关

专利类型：发明专利

专利号：CN201210072426.9

专利申请（专利权）人：四川大学

专利发明（设计）人：石瑞英;刘杰;杜惊雷

主权项：一种增强型石墨烯场效应晶体管，其结构包括：栅极区、源极区、漏极区、沟道区和源漏半导体掺杂区。

专利地区：四川