半导体晶片及半导体装置专利登记公告

专利名称：半导体晶片及半导体装置

摘要：本发明提供一种半导体晶片及半导体装置，其具有能够在抑制裂纹的产生的同时被厚膜化，且具有导电性的氮化物半导体层。该半导体晶片具有：多层膜，其具有由未掺杂的第1氮化物半导体层和晶格常数比该第1氮化物半导体层大的未掺杂的第2氮化物半导体层交替地层叠而成的结构；以及未掺杂的第3氮化物半导体层，其配置在多层膜上，晶格常数比第1氮化物半导体层大，其中，半导体晶片在膜厚方向上具有导电性。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110432270.6

专利申请（专利权）人：三垦电气株式会社

专利发明（设计）人：松尾哲二

主权项：一种半导体晶片，其特征在于具有：多层膜，其具有由未掺杂的第1氮化物半导体层和未掺杂的第2氮化物半导体层交替地层叠而成的结构，该第2氮化物半导体层的晶格常数比该第1氮化物半导体层大；以及未掺杂的第3氮化物半导体层，其配置在所述多层膜上，晶格常数比所述第1氮化物半导体层大，该半导体晶片在膜厚方向上具有导电性。

专利地区：日本