溅射靶、氧化物半导体膜及半导体器件专利登记公告

专利名称：溅射靶、氧化物半导体膜及半导体器件

摘要：本发明提供一种溅射靶，其是包含含有铟(In)、及至少一种以上选自钆(Gd)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)及镱(Yb)中的元素的氧化物的烧结体的溅射靶，其中，所述氧化物的烧结体实质上包括方铁锰矿结构。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210074459.7

专利申请（专利权）人：出光兴产株式会社

专利发明（设计）人：井上一吉;矢野公规;笠见雅司

主权项：一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件将含有铟的结晶质氧化物用作半导体，所述结晶质氧化物的电子载体浓度不到1018/cm3，所述结晶质氧化物含有除了所述铟以外的正三价元素，所述正三价元素为B、Al、Ga、Sc及Y中的至少一种以上元素，所述正三价元素的原子数[M3]相对所述结晶质氧化物中含有的全部金属元素的原子数[A]的原子比为0.001≤[M3]/[A]＜0.2。

专利地区：日本