生长氧原硅酸盐的切克拉斯基方法中的热梯度控制方法专利登记公告

专利名称：生长氧原硅酸盐的切克拉斯基方法中的热梯度控制方法

摘要：公开了生长氧原硅酸盐的切克拉斯基方法中的热梯度控制方法。具体地，本发明涉及一种制造LSO闪烁体的方法，该LSO闪烁体具有高光输出和短衰减时间。在一实施方式中，该方法包括将LSO共掺杂铈和来自元素周期表第IIA或IIB族中的另一掺杂剂。掺杂水平可进行选择以在比文献报导范围更宽的范围内(在约～30ns直到约～50ns之间)调节闪烁脉冲的衰减时间，具有改善的光输出和均匀性。在另一实施方式中，掺杂剂的相对浓度进行选择以获得期望的光输出和衰减时间，同时保证晶体生长的稳定性。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110227937.9

专利申请（专利权）人：美国西门子医疗解决公司

专利发明（设计）人：M·S·安德烈亚科;P·肖普里齐恩斯基;A·A·凯里

主权项：从具有通式Ln2xA2yLu2(1?x?y)SiO5的组成的熔体中生长单晶闪烁体材料的方法，其中Ln基本上由一种或多种镧系元素、一种或多种锕系元素或其组合组成，A基本上由元素周期表中的一种或多种IIA或IIB族元素或其任何组合组成，所述方法包括：选择生长的单晶材料所欲获得的包含端点在内的约30ns到约50ns之间的荧光衰减时间；基于欲获得的衰减时间，确定x和y之间的相对数值，其中x大于或等于0.00001并小于或等于0.1，y大于或等于0.00001并小于或等于0.1以便从熔体中获得单晶闪烁体材料的稳定生

专利地区：美国