掺铬钨酸钪钾可调谐激光晶体专利登记公告

专利名称：掺铬钨酸钪钾可调谐激光晶体

摘要：本发明提供了一种掺铬钨酸钪钾可调谐激光晶体。本发明采用60～90at％K2W2O7为助熔剂，降温速率为1～5℃/天，转速为5～30转/分钟，生长出了高质量、较大尺寸的Cr3+:KSc(WO4)3晶体。该晶体属三方晶系，具有空间群结构。该晶体可作为可调谐激光晶体，其可调谐范围在750～1200nm之间，用该晶体制成的固体激光器可用于光谱学、生物医学、军事等诸多领域中。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110344158.7

专利申请（专利权）人：中国科学院福建物质结构研究所

专利发明（设计）人：王国建;王国富;林州斌;张莉珍;黄溢声

主权项：一种掺铬钨酸钪钾可调谐激光晶体，其特征在于：该晶体的分子式为Cr3+:KSc(WO4)2，属于三方晶系，具有空间群结构，晶胞参数为Z＝1，Dc＝4.41g/cm3，可产生可调谐激光。FDA0000105487340000011.tif,FDA0000105487340000012.tif,FDA0000105487340000013.tif,FDA0000105487340000014.tif

专利地区：福建