等离子体处理设备专利登记公告

专利名称：等离子体处理设备

摘要：公开一种等离子体处理设备，包括：腔室，包括等离子体处理空间和开口的顶部；介电窗，遮盖所述腔室的顶部；窗框架，支撑所述介电窗；天线，位于所述介电窗上并且使得电感耦合等离子体(ICP)产生在所述等离子体处理空间中；电容耦合等离子体(CCP)框架，布置在所述天线下方并且使得电容耦合等离子体产生在所述等离子体处理空间中；以及基座，布置在所述等离子体处理空间中，作为待处理物体的基板安放在所述基座上。这样，可以获得ICP和CCP两者、有利于ICP的初始放电、防止因框架而发生的等离子体减少以及提高处理速度。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110248521.5

专利申请（专利权）人：丽佳达普株式会社

专利发明（设计）人：孙亨圭;李荣钟;姜赞镐

主权项：一种等离子体处理设备，包括：腔室，包括等离子体处理空间和开口的顶部；介电窗，遮盖所述腔室的顶部；窗框架，支撑所述介电窗；天线，位于所述介电窗上并且使得电感耦合等离子体(ICP)产生在所述等离子体处理空间中；电容耦合等离子体(CCP)框架，布置在所述天线下方并且使得电容耦合等离子体产生在所述等离子体处理空间中；以及基座，布置在所述等离子体处理空间中，作为待处理物体的基板安放在所述基座上。

专利地区：韩国