用于超浅结注入的离子源装置专利登记公告

专利名称：用于超浅结注入的离子源装置

摘要：本发明提供了一种用于超浅结注入的离子源装置，包括：起弧室；对靶溅射装置，位于所述起弧室下方；其特征在于，所述对靶溅射装置包括冷却装置，对靶材进行冷却。本发明在离子源中引入了小型对靶溅射装置，并辅以强冷却系统，为起弧室提供了足够的分子电离，有效地提高了注入的效率和可靠性。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110004958.4

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：刘金彪;张琦辉;宋希明;张浩;李琳;刘强;丁明正;李俊峰;赵超

主权项：一种离子源装置，包括：起弧室；对靶溅射装置，与所述起弧室相邻；其特征在于，所述对靶溅射装置包括冷却装置，对靶材进行冷却。

专利地区：北京