制造发光二极管的方法专利登记公告

专利名称：制造发光二极管的方法

摘要：本发明提供一种制造发光二极管的方法，该方法包括下述步骤：在第一反应室中，在基底上生长第一导电型氮化物半导体层和有源层；将上面生长有第一导电型氮化物半导体层和有源层的基底传送至第二反应室；在第二反应室中，在有源层上生长第二导电型氮化物半导体层，其中，在将基底传送至第二反应室的步骤之前，在第二反应室的内部创建包含氮化物源气体和提供将被包含在第二导电型氮化物半导体层中的杂质的杂质源气体的气氛。该方法改善了系统的可操作能力和生产率。此外，可以改善通过该方法得到的半导体层的结晶度和掺杂均匀度。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110259932.4

专利申请（专利权）人：三星LED株式会社

专利发明（设计）人：韩尚宪;李焘英;林珍永;金起成;金荣善

主权项：一种制造发光二极管的方法，该方法包括下述步骤：在第一反应室中，在基底上生长第一导电型氮化物半导体层和有源层；将上面生长有第一导电型氮化物半导体层和有源层的基底传送至第二反应室；在第二反应室中，在有源层上生长第二导电型氮化物半导体层，其中，在将基底传送至第二反应室之前，在第二反应室的内部创建包含氮化物源气体和提供将被包含在第二导电型氮化物半导体层中的杂质的杂质源气体的气氛。

专利地区：韩国