超薄、高热稳定性ZrGeN/CuGe复合梯度阻挡层制备工艺专利登记公告

专利名称：超薄、高热稳定性ZrGeN/CuGe复合梯度阻挡层制备工艺

摘要：本发明公开了一种在超深亚微米集成电路铜（Cu）互连技术中应用的超薄、高热稳定性ZrGeN/CuGe复合梯度阻挡层的制备工艺。本发明沉积的梯度ZrGeN(5nm)/CuGe(10nm)阻挡层热稳定温度可达750℃以上。采用该方法制备的梯度ZrGeN(5nm)/CuGe(10nm)扩散阻挡层能有效降低互连膜系电阻率，降低互连电路的阻容耦合（RC）延迟效应，提高半导体器件的运行速度和稳定性。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210063021.9

专利申请（专利权）人：四川大学

专利发明（设计）人：刘波;张彦坡;展长勇;任丁;林黎蔚

主权项：一种超薄、高热稳定性ZrGeN/CuGe复合梯度阻挡层制备工艺，在常温下实施，其特征在于包含以下步骤：a、清洗衬底材料：将衬底材料单晶硅经氢氟酸清洗15分钟后，依次放入丙酮、无水乙醇中分别进行20分钟超声波清洗，干燥后放入真空腔室内，然后抽真空度至2.0×10?4?Pa；b、沉积前对衬底的处理：保持真空室本底真空为2.0×10?4?Pa下，用偏压反溅清洗10分钟、预溅射清洗5分钟，去除Si衬底和靶材杂质；反溅功率为100?200?W；预溅功率为100?200?W；反溅偏压和预溅偏压分别为?500?V、?1

专利地区：四川