选择性外延工艺的监控方法专利登记公告

专利名称：选择性外延工艺的监控方法

摘要：本发明提供选择性外延工艺的监控方法，包括：提供具有第一区域和第二区域的半导体衬底；在所述第二区域上形成介质层，所述介质层使得所述第二区域具有不同于第一区域的颜色；对所述半导体衬底进行选择性外延工艺；在所述选择性外延工艺后，观察所述第二区域的颜色与选择性外延工艺前的颜色是否相同；若所述第二区域的颜色与选择性外延工艺前的第二区域颜色相同，则该选择性外延工艺的选择性正常，反之，则该选择性外延工艺的选择性异常；在所述选择性外延工艺后，测试所述第一区域的外延层的厚度，该厚度即为选择性外延工艺的厚度。本发明利用同一半

专利类型：发明专利

专利号：CN201010613731.5

专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

专利发明（设计）人：三重野文健;涂火金;何永根;何有丰

主权项：一种选择性外延工艺的监控方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底分为第一区域和第二区域；在所述第二区域上形成介质层，所述介质层使得所述第二区域具有一定的颜色，该颜色不同于第一区域的颜色；对所述第二区域形成有介质层的所述半导体衬底进行选择性外延工艺；在所述选择性外延工艺后，观察所述第二区域的颜色与选择性外延工艺前的颜色是否相同；若所述第二区域的颜色与选择性外延工艺前的第二区域颜色相同，则该选择性外延工艺的选择性正常，若所述第二区域的颜色与选择性外延工艺前的第二区域的颜色不同，则该选择性外延工艺

专利地区：上海