一种制作半导体器件结构的方法专利登记公告

专利名称：一种制作半导体器件结构的方法

摘要：本发明提供一种制造半导体器件结构的方法，对半导体器件的表面注入氩离子或氙离子来增强硅化镍的热稳定性，大大降低热处理工序中镍原子的扩散，从而在硅化物形成过程中完全防止硅和镍的结合。本发明提供的方法提高了半导体器件的整体性能及良品率，防止在热处理工序中镍原子会从镍硅化物向硅衬底中扩散。在本发明的方法中，由于离子注入能够直接使用现有的半导体制造设备，因此几乎不需追加任何成本。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010615164.7

专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

专利发明（设计）人：禹国宾

主权项：一种制作半导体器件结构的方法，其特征在于，包括下列步骤：a）在半导体器件的表面进行第一次离子注入；?b）对所述第一次离子注入的区域进行预清洗；c）对所述预清洗的区域进行金属沉积；?d）对所述半导体器件进行第一次退火；e）对所述金属沉积的区域进行选择性刻蚀以去除所述金属沉积的区域的表面多余的金属；f）在所述选择性刻蚀的区域进行第二次离子注入；?g）对所述半导体器件进行第二次退火。

专利地区：上海