一种金属-碳化硅欧姆接触快速退火方法专利登记公告

专利名称：一种金属-碳化硅欧姆接触快速退火方法

摘要：本发明是一种金属-碳化硅欧姆接触快速退火方法，包括以下步骤：1）将SiC晶片放在Si片托盘上，然后置入快速热处理装置，同时充入保护气体Ar；2）第一升温阶段、保持温度；3）第二升温阶段，稳定温度阶段8；4）第三升温阶段；5）第四升温阶段，退火阶段；6）降温阶段。本发明的有益效果：可以在任何采用灯光辐射为热源的商用快速热处理装置内实施，作为托盘的硅片可以采用多种规格的商用抛光单晶硅片，成本低。退火方法能够去除碳化硅晶片表面水汽，稳定温度。通过改变设定值，能够在保证峰值热处理温度的控制精度前提下，提高升温速率

专利类型：发明专利

专利号：CN201210000251.0

专利申请（专利权）人：中国电子科技集团公司第五十五研究所

专利发明（设计）人：李理;柏松;陈刚

主权项：一种金属?碳化硅欧姆接触快速退火方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：1）将SiC晶片放在Si片托盘上，然后置入快速热处理装置，将待快速退火的SiC晶片置于Si片托盘上，接着放入快速热处理装置中，快速退火装置的加热面在SiC晶片上方，测温装置在Si片托盘下方，同时充入保护气体Ar；2）第一升温阶段、保持温度阶段，将SiC晶片作第一次升温，加热到第一温度200℃?300℃，保持温度60?180秒，升温速率5℃/秒?10℃/秒；??3）第二升温阶段，稳定温度阶段，将SiC晶片作第二次升温，由第一温度升温加热到

专利地区：江苏