一种MgZnO薄膜的制备设备系统和方法专利登记公告

专利名称：一种MgZnO薄膜的制备设备系统和方法

摘要：本发明涉及一种MgZnO薄膜，尤其是一种用于制备紫外探测器的MgZnO薄膜的磁控溅射系统和方法。磁控溅射系统包括生长腔(1)，真空系统(2)，安放衬底的基片架(3)，2个溅射电极(4)、(5)，电子枪(6)和混气室(7)。溅射电极上分别装有Mg金属靶和Zn金属靶，基片架(3)位于2个溅射电极的中垂线上，可以保证Mg原子和Zn原子同时到达基片架(3)，基片架上只放置一个衬底(8)，且衬底(8)位于基片架的正中心，保证衬底在旋转过程中不偏离中轴线，保证整个MgZnO薄膜中各组分均匀。生长MgZnO薄膜前，电子

专利类型：发明专利

专利号：CN201110261182.4

专利申请（专利权）人：中国科学院福建物质结构研究所

专利发明（设计）人：黄丰;郑清洪;陈达贵;湛智兵;丁凯;黄瑾

主权项：一种MgZnO薄膜制备设备系统，其特征在于该设备包括生长腔，真空系统，安放衬底的基片架，二个溅射电极，电子枪和混气室七个重要部分，利用反应磁控溅射方法在衬底上生长三元MgZnO合金薄膜。

专利地区：福建