一种p型透明导电掺锂氧化镍薄膜及其制备方法专利登记公告

专利名称：一种p型透明导电掺锂氧化镍薄膜及其制备方法

摘要：本发明涉及一种p型透明导电掺锂氧化镍薄膜及其制备方法。本发明首先采用化学纯氧化镍和碳酸锂的混合粉末，经过研磨、压片、固相反应、烧结过程制备出LixNi1-xO陶瓷靶材；然后以普通玻璃为基板，利用LixNi1-xO陶瓷靶，通过电子束蒸发镀膜系统，在适当的电子束流、蒸发高压、蒸发压强、蒸发时间以及后退火处理温度的条件下制备了具有p型透明导电的LixNi1-xO薄膜。所制备的薄膜具有高电导率、可见光范围内相对较高的透射率等优良光电特性。本发明方法获得的p型透明导电氧化物薄膜在透明电子学领域具有较好的应用前景。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210047506.9

专利申请（专利权）人：杭州电子科技大学

专利发明（设计）人：黄延伟;席俊华;季振国

主权项：?一种p型透明导电掺锂氧化镍薄膜，其特征在于：该掺锂氧化镍薄膜材料为LixNi1?xO，x?=?0.01～0.30，由电子束蒸发镀膜技术制备获得，其中薄膜厚度为50～500?nm，最高电导率达到9.4?S·cm?1，可见光区域的平均透射率高于60%。

专利地区：浙江