非易失性存储器件及其制造方法专利登记公告

专利名称：非易失性存储器件及其制造方法

摘要：本发明公开了一种制造非易失性存储器件的方法，所述方法包括以下步骤：提供衬底，所述衬底包括要形成多个存储器单元的单元区以及要形成多个外围电路器件的外围电路区；形成垂直于单元区的衬底而层叠的存储器单元；以及在存储器单元之上形成用于形成选择晶体管的栅电极的第一导电层，并在外围电路区中形成所述第一导电层，其中，外围电路区中的所述第一导电层起到作为外围电路器件中的至少一个外围电路器件的电阻体的作用。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110265429.X

专利申请（专利权）人：海力士半导体有限公司

专利发明（设计）人：安正烈

主权项：一种制造包括具有单元区和外围电路区的衬底的非易失性存储器件的方法，所述方法包括以下步骤：形成层叠在所述衬底的所述单元区之上的多个存储器单元；以及在所述衬底的所述存储器单元之上以及所述外围电路区之上形成第一导电层，其中，形成在所述存储器单元之上的所述第一导电层能够用于形成选择晶体管的栅电极，并且形成在所述衬底的所述外围电路区之上的所述第一导电层起到作为一个或更多个外围电路器件中的至少一个外围电路器件的电阻体的作用。

专利地区：韩国