存储器的制造方法、存储器专利登记公告

专利名称：存储器的制造方法、存储器

摘要：一种存储器的制造方法、存储器，所述制造方法包括：提供衬底，所述衬底上形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的衬底上形成衬底外延层；对所述衬底外延层以及位于衬底外延层下的衬底进行掺杂，形成位线；在所述位线上形成绝缘层、在所述绝缘层和栅极结构上形成字线。所述存储器包括：衬底，依次位于衬底上的栅极结构，位于栅极结构两侧衬底上的衬底外延层，形成于所述衬底外延层和衬底中的掺杂区，位于所述衬底外延层上的绝缘层，覆盖于所述绝缘层和栅极结构上的字线。本发明减小了位线电阻。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010620995.3

专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

专利发明（设计）人：徐伟中;陈福刚

主权项：一种存储器的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成栅极结构；在所述栅极结构两侧的衬底上形成衬底外延层；对所述衬底外延层以及位于衬底外延层下的衬底进行掺杂，形成位线；在所述位线上形成绝缘层、在所述绝缘层和栅极结构上形成字线。

专利地区：上海