一种三维多值非挥发存储器的制备方法专利登记公告

专利名称：一种三维多值非挥发存储器的制备方法

摘要：本发明公开了一种三维多值非挥发存储器的制备方法，属于微电子制造及存储器技术领域。所述多值非挥发存储器具有立体结构，基于电荷局域存储的特性，每个单元具有多个物理存储点，从而实现多值存储的特性。基于单个器件的立体结构，可以实现存储器阵列三维集成，从而大幅度提高存储密度。本发明三维多值非挥发存储器密度高、易集成，采用现有存储器制造工艺即可实现，有利于本发明的推广和应用。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010597578.1

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：刘明;朱晨昕;霍宗亮;闫峰;王艳花;王琴;龙世兵

主权项：一种三维多值非挥发存储器的制备方法，其特征在于，该方法包括：在半导体衬底上形成叠层结构；形成沟道区域及源/漏掺杂区；形成栅介质层及栅极区；分别由源/漏掺杂区及栅极区引出位线及字线，形成三维多值非挥发存储器。

专利地区：北京