一种减小半导体器件栅诱导漏极泄漏的方法专利登记公告

专利名称：一种减小半导体器件栅诱导漏极泄漏的方法

摘要：本发明公开了一种减小半导体器件栅诱导漏极泄漏的方法，其包括下列步骤：在一已完成两侧浅沟槽隔离工艺的衬底上生长一层侧墙薄膜；用光刻胶覆盖半导体器件的漏极，对源极的侧墙薄膜进行离子注入；去除光刻胶，对侧墙薄膜进行刻蚀，在半导体器件的栅极上形成侧墙，调节侧墙刻蚀菜单以使得刻蚀后的侧墙源极的宽度减小，漏极的宽度增大；进行源漏重掺杂以及退火工艺。本发明在保持沟道有效长度不变的情况下，降低了漏端的纵向电场强度，从而减小了半导体器件栅致漏极泄漏电流。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210047367.X

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：俞柳江

主权项：一种减小半导体器件栅诱导漏极泄漏的方法，其特征在于，包括下列步骤：在一已完成两侧浅沟槽隔离工艺的衬底上生长一层侧墙薄膜；用光刻胶覆盖半导体器件的漏极，对源极的侧墙薄膜进行离子注入；去除光刻胶，对侧墙薄膜进行刻蚀，在半导体器件的栅极上形成侧墙，调节侧墙刻蚀菜单以使得刻蚀后的侧墙源极的宽度减小，漏极的宽度增大；进行源漏重掺杂以及退火工艺。

专利地区：上海