一种避免光阻变性的无氮碳化硅薄膜工艺专利登记公告

专利名称：一种避免光阻变性的无氮碳化硅薄膜工艺

摘要：本发明的公开了一种避免光阻变性的无氮碳化硅薄膜工艺，其在原有的碳化薄膜的制备工艺的基础上改进而来，用碳氢化合物代替氨气，氮气等作为反应气体，可以制得无氮的碳化硅薄膜，避免了在后续的与光阻（光刻胶）接触的过程中，产生光阻变性的危险，进而有效保证了半导体互连关键尺寸的一致性，同时，提高了所淀积的碳化硅薄膜的品质，工艺过程简单易控制。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110266443.1

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：张文广;郑春生;陈玉文

主权项：一种避免光阻变形的碳化硅薄膜工艺，其特征在于，包括以下的步骤：步骤S1：在一基底上所沉积的低介电常数薄膜中形成有铜互连线；步骤S2：用包含有碳氢化合物和氢气的混合气体处理互连线表面所产生的铜氧化物；步骤S3：用包含有碳氢化合物和硅烷的混合反应气体在所述低介电常数薄膜之上沉积一层碳化硅薄膜，且碳化硅薄膜同时覆盖在铜互连线上。

专利地区：上海