一种提高高深宽比浅沟槽隔离填充特性的方法专利登记公告

专利名称：一种提高高深宽比浅沟槽隔离填充特性的方法

摘要：本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种提高高深宽比浅沟槽隔离填充特性的方法。本发明一种提高高深宽比浅沟槽隔离填充特性的方法，通过在常规工艺中使用的一步HARP填充工艺的基础上，将其改进为两次HARP填充工艺，并在第一次HARP填充工艺之后增加一步等离子重塑工艺，从而增大第二次HARP填充工艺的工艺窗口，不仅增强了沟槽的填充能力，还可以去除掉传统工艺中的氮化物紧缩工艺步骤，从而降低了对于氮化层初始厚度的要求，进而降低了STI的应力控制和凸起控制难度，提高产品的良率及降低生产成本。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210077718.1

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：曹永峰

主权项：一种提高高深宽比浅沟槽隔离填充特性的方法，在40?65nm的工艺中，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：采用高深宽比填充工艺，在一具有浅沟槽的硅衬底上沉积第一沟槽氧化物层；步骤S2：采用等离子工艺去除部分第一沟槽氧化层，形成剩余第一沟槽氧化物层；步骤S3：沉积第二沟槽氧化层覆盖剩余的第一沟槽氧化层，并充满浅沟槽。

专利地区：上海