一种低温多晶硅TFT阵列基板及其制造方法专利登记公告

专利名称：一种低温多晶硅TFT阵列基板及其制造方法

摘要：本发明实施例提供一种低温多晶硅TFT阵列基板及其制造方法，涉及液晶显示器及AMOLED显示器制造领域，减少了构图工艺处理次数，从而简化了制造流程，降低了制造成本。其方法为：在基板上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成多晶硅层；在所述多晶硅层上形成第一金属层，利用灰色调掩摸板或半透式掩摸板对所述第一金属层、多晶硅层进行构图工艺处理，通过一次构图工艺得到数据线、源极、漏极和多晶硅半导体部分的图案。本发明实施例用于低温多晶硅TFT阵列基板制造。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110270029.8

专利申请（专利权）人：京东方科技集团股份有限公司

专利发明（设计）人：马占洁;龙春平

主权项：一种低温多晶硅TFT阵列基板，其特征在于，包括：基板；形成有多晶硅半导体有源层；所述多晶硅半导体有源层上形成有源极、漏极；所述源极、漏极与所述多晶硅半导体有源层构成TFT区域；所述源极、漏极上形成有栅绝缘层；所述栅绝缘层上形成有栅极、栅线；所述栅极、栅线上形成有保护层；所述保护层上形成有像素电极层，所述像素电极层通过位于所述保护层、栅绝缘层上的过孔与所述漏极连接。

专利地区：北京