包括双极型晶体管的集成电路及其制造方法专利登记公告

专利名称：包括双极型晶体管的集成电路及其制造方法

摘要：一种集成电路包括布置在衬底上的双极型晶体管。该双极型晶体管包括布置在至少一个含锗层周围的基极电极。发射极电极布置在至少一个含锗层上。至少一个隔离结构布置在发射极电极和至少一个含锗层之间。至少一个隔离结构的顶面布置在发射极电极的顶面和至少一个含锗层的顶面之间并且使二者电隔离。本发明还提供了包括双极型晶体管的集成电路及其制造方法。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110288597.0

专利申请（专利权）人：台湾积体电路制造股份有限公司

专利发明（设计）人：黄为栋;郭俊聪;刘世昌;杜友伦

主权项：一种集成电路，包括：衬底；以及布置在所述衬底上的双极型晶体管，所述双极型晶体管包括：布置在至少一个含锗层周围的基极电极；布置在所述至少一个含锗层上的发射极电极；以及至少一个隔离结构，所述隔离结构布置在所述发射极电极和所述至少一个含锗层之间，所述至少一个隔离结构的顶面布置在所述发射极电极的顶面和所述至少一个含锗层的顶面之间并将它们电隔离。

专利地区：台湾