制造应变的源极/漏极结构的方法专利登记公告

专利名称：制造应变的源极/漏极结构的方法

摘要：本申请公开了一种制造应变的源极/漏极结构的方法。本公开的方法提供了一种用于在半导体器件中形成改进的源极/漏极部件的工艺过程。带有改进的源极/漏极部件的半导体器件可以防止或减少缺陷并且由外延层实现高的应变效应。在实施例中，该源极/漏极部件包括围绕着第一部分的第二部分和在第二部分和半导体衬底之间的第三部分，其中，第二部分具有与第一和第三部分不同的成分。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110271896.3

专利申请（专利权）人：台湾积体电路制造股份有限公司

专利发明（设计）人：郭紫微;宋学昌;陈冠宇;林宪信

主权项：一种器件，包括：衬底；栅极结构，位于所述衬底上方；源极/漏极S/D部件，位于所述衬底中，并且插入有栅极结构，其中，至少一个S/D部件包括：第一半导体材料；第二半导体材料，位于所述第一半导体材料上方；以及第三半导体材料，位于所述第二半导体材料上方，其中，所述第二半导体材料具有与所述第一半导体材料和所述第三半导体材料不同的成分。

专利地区：台湾