一种含石墨烯电极材料的相变存储器的制备方法专利登记公告

专利名称：一种含石墨烯电极材料的相变存储器的制备方法

摘要：本发明提供一种含石墨烯电极材料的相变存储器的制备方法，通过特殊方法将单层石墨烯转移到硅片衬底上制作成石墨烯电极对，并在电极对上制备相变材料，再经制备接触电极和测试电极后完成器件的制作，本发明提出了一种新的电极材料，即石墨烯纳米材料，由于石墨烯为单层碳原子结构，故与相变材料接触时有效接触面积将比目前光刻技术可以达到的极限尺寸小的多，从而达到了充分降低器件操作电流以及功耗的目的。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210093595.0

专利申请（专利权）人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所

专利发明（设计）人：吕士龙;宋志棠

主权项：一种含石墨烯电极材料的相变存储器的制备方法，其特征在于，所述相变存储器的制备方法至少包括以下步骤：1)提供一硅片衬底，并将所述硅片衬底做清洗处理；2)采用化学气相沉积工艺在所述硅片衬底表面制备一层厚度为300～500nm的介质层；3)采用化学分散法制备石墨烯纳米材料，并将制备的石墨烯纳米材料转移至所述介质层上形成单层石墨烯；4)采用聚焦离子束沉积工艺在所述介质层上以及所述单层石墨烯的周围制备多个厚度为200nm的对准标记图形；5)利用电子束光刻工艺结合反应离子刻蚀工艺将所述单层石墨烯加工成电极对阵列，刻蚀

专利地区：上海