半导体装置及其制造方法专利登记公告

专利名称：半导体装置及其制造方法

摘要：本发明提供半导体装置及其制造方法。实施方式所涉及的半导体装置具备：基板；控制元件，其配置于前述基板上。并且，具备：树脂，其覆盖前述控制元件；以及存储元件，其配置于前述控制元件上，与前述树脂相接并由前述控制元件进行控制；其中，从上面观察，前述控制元件配置于前述存储元件的正下方区域内。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110276176.6

专利申请（专利权）人：株式会社东芝

专利发明（设计）人：唐金祐次;安藤善康

主权项：一种半导体装置，其特征在于，具备：基板；控制元件，其配置于前述基板上；树脂，其覆盖前述控制元件；以及存储元件，其配置于前述控制元件上，与前述树脂相接，并由前述控制元件进行控制；其中，从上面观察，前述控制元件配置于前述存储元件的正下方区域内。

专利地区：日本