一种电场调制型随机存储单元阵列及存储器专利登记公告

专利名称：一种电场调制型随机存储单元阵列及存储器

摘要：一种新型电场调制型存储单元的阵列和随机存储器，所述存储器包括新型电场调制型存储单元的阵列和相应的读写电路。所述存储单元的阵列中的存储单元可以采用导电层、功能层和底层的结构；也可以采用导电层、绝缘层、缓冲层、功能层和底层的结构。这两种结构均具有2条数据读取线和2条数据写入线。所述新型电场调制型存储单元的阵列中的存储单元也可以采用和晶体管结合的结构，利用晶体管对存储单元进行选择。本发明的随机存储器，包括基本行解码器、灵敏放大器和列解码器、寄存器、控制电路、读写驱动、寄存器和输入、输入端口等。本发明提出的随机存

专利类型：发明专利

专利号：CN201110304812.1

专利申请（专利权）人：中国科学院物理研究所

专利发明（设计）人：韩秀峰;于国强;陈怡然

主权项：一种新型的电场调制型存储单元阵列，其特征在于，其存储单元不包括晶体管，所述存储单元依靠依次沉积于衬底上的底层、功能层、缓冲层、绝缘层和导电层来实现数据的存储。通过和导电层相连通的两条金属线实现数据的读取；通过和导电层以及底层相连的两条金属线对功能层进行电场的施加，以实现数据的写入。

专利地区：北京