一种连续曝光时透镜受热引起图形变化的监控方法专利登记公告

专利名称：一种连续曝光时透镜受热引起图形变化的监控方法

摘要：本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种连续曝光时透镜受热引起图形变化的监控方法，通过在掩模板上制备不同的密集线条和孤立线条图形，以仿真模拟多次连续曝光多片晶圆，测量并对比曝光后前后不同晶圆上不同线条的尺寸，以尽快发现设备异常，从而避免发生大规模产品质量问题。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110307988.2

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：王剑;戴韫青;毛智彪

主权项：一种连续曝光时透镜受热引起图形变化的监控方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：于一掩模板上制备密集线条和孤立线条；?步骤S2：利用该掩模板对至少三个晶圆连续进行多次曝光；其中，第一曝光和最后一次曝光均单独使用一个晶圆；?步骤S3：至少将第一次曝光和最后一次曝光后晶圆上密集线条和孤立线条的关键尺寸记录并存储至数据库；步骤S4：进行步骤S3的同时，将第一次曝光和最后一次曝光后晶圆上密集线条和孤立线条的关键尺寸分别相应进行对比，发现关键尺寸不同，通知设备工程师检修设备。

专利地区：上海