一种减少浅沟槽隔离缺陷的方法专利登记公告

专利名称：一种减少浅沟槽隔离缺陷的方法

摘要：本发明提出的一种减少浅沟槽隔离缺陷的工艺方法，该工艺步骤如下：1）进行有源区氧化物沉积，氮化硅（SIN）沉积，形成衬底；2）进行浅沟槽隔离（STI）刻蚀；3）进行浅沟槽隔离（STI）内衬氧化物层沉积；4）进行含氮的等离子体处理；5）进行浅沟槽隔离（STI）高密度等离子体沉积；6)进行透射电镜（TEM）空洞检测；7）如检测结果不符合要求，则对工艺参数进行调整，再次实施步骤（5）浅沟槽隔离（STI）高密度等离子体沉积；如检测结果符合要求，则确认工艺参数，确定工艺流程。本发明的工艺方法可缩短高密度等离子体化学气

专利类型：发明专利

专利号：CN201110309746.7

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：徐强;张文广;陈玉文;郑春生

主权项：一种减少浅沟槽隔离缺陷的工艺方法，其特征在于：该工艺步骤如下：1）进行有源区氧化物沉积，氮化硅（SIN）沉积，形成衬底；2）进行浅沟槽隔离（STI）刻蚀；3）进行浅沟槽隔离（STI）内衬氧化物层沉积；4）进行含氮的等离子体处理；5）进行浅沟槽隔离（STI）高密度等离子体沉积；6)?进行透射电镜（TEM）空洞检测；7）如检测结果不符合要求，则对工艺参数进行调整，再次实施步骤（5）浅沟槽隔离（STI）高密度等离子体沉积；如检测结果符合要求，则确认工艺参数，确定工艺流程。

专利地区：上海