一种使用金属硬掩膜提高STI特性的方法专利登记公告

专利名称：一种使用金属硬掩膜提高STI特性的方法

摘要：本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种使用金属硬掩膜提高STI特性的方法。本发明一种使用金属硬掩膜提高STI特性的方法，通过将传统的氧化物/氮化物结构改为氧化物/氮化物/TiN硬掩膜结构，从而利用金属与非金属在刻蚀速率上的超高选择比，保护氮化物层在STI刻蚀、CMP等工艺过程中的厚度损失，从而降低STI工艺中对初始的氮化物层的厚度的要求，进而降低浅沟槽隔离的应力控制和凸起控制难度，且能有效的避免由于氮化物与硅化物的晶格结构不匹配，造成的脱落现象的发生，且TiN在CMP工艺中易被去除，所以在STICMP中增

专利类型：发明专利

专利号：CN201210066500.6

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：曹永峰

主权项：一种使用金属硬掩膜提高STI特性的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：在一硅衬底上依次淀积垫氧化物层和垫氮化物层；步骤S2：淀积金属硬掩膜覆盖垫氮化物层的上表面。

专利地区：上海