LED芯片的制造方法专利登记公告

专利名称：LED芯片的制造方法

摘要：本发明的发明是一种LED芯片的制造方法。本发明提供的LED的制造方法中，当通过从背面侧照射激光来形成分割起点时，无需另外事先沿着预定分割线除去反射膜。LED芯片的制造方法中包括如下步骤：对于母板(1)沿着预定分割线照射激光光束L，从而形成用于分割成各个LED元件主体(2)的分割起点A，所述母板(1)中，在透光性基板(1)的表面侧(1a)以图案形成着多个LED元件主体(2)，并且在背面侧(1b)包括预定分割线上的部位在内形成着反射膜(3)，该制造方法中，在背面侧(1b)形成反射膜(3)，且以使激光光束L从背

专利类型：发明专利

专利号：CN201110329555.7

专利申请（专利权）人：三星钻石工业股份有限公司

专利发明（设计）人：木山直哉;中谷郁祥

主权项：一种LED芯片的制造方法，其特征在于：包括对于母板沿着预定分割线照射激光光束从而形成用于分割成各个LED元件主体的分割起点的步骤，该母板中，在透光性基板的表面侧以图案形成着多个LED元件主体，且在背面侧包括预定分割线上的部位在内形成着反射膜，该LED芯片的制造方法中，在背面侧形成反射膜，所述反射膜具有将来自所述LED元件主体的发出光的波长范围反射、且使照射在预定分割线上的激光光束的波长光透过的性质，且以使所述激光光束从背面侧透过反射膜直接照射在基板背面上的方式对基板进行激光加工。

专利地区：日本