真空气相沉积系统以及制造有机电致发光元件的方法专利登记公告

专利名称：真空气相沉积系统以及制造有机电致发光元件的方法

摘要：这里提供了一种真空气相沉积系统，它能够精确测量气相沉积速率，并能够以更高精度来控制膜厚度。真空气相沉积系统包括：真空腔室；基片保持机构；气相沉积源；用于监测的膜厚度传感器；控制系统，该控制系统包括温度控制器和膜厚度控制器；以及用于校准的膜厚度传感器，其中，从用于监测的膜厚度传感器和用于校准的膜厚度传感器中的要提高测量精度的一个膜厚度传感器至气相沉积源的开口中心的距离小于从另一膜厚度传感器至气相沉积源的开口中心的距离。还提供了一种使用这种真空沉积系统制造有机电致发光元件的方法。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110339529.2

专利申请（专利权）人：佳能株式会社

专利发明（设计）人：福田直人;中川善之;中野真吾

主权项：一种真空气相沉积系统，包括：真空腔室；基片保持机构，该基片保持机构保持基片；气相沉积源，该气相沉积源通过开口来释放气相沉积材料的蒸气，以便在基片上形成膜；用于监测的膜厚度传感器，当气相沉积材料在基片上形成膜时，该用于监测的膜厚度传感器测量气相沉积材料的气相沉积速率；控制系统，该控制系统包括：膜厚度控制器，该膜厚度控制器计算目标气相沉积速率与所述用于监测的膜厚度传感器测量的气相沉积速率之间的差；和温度控制器，该温度控制器控制气相沉积源的温度以降低由膜厚度控制器获得的目标气相沉积速率与用于监测的膜厚度传感器测

专利地区：日本