离子源专利登记公告

专利名称：离子源

摘要：本发明提供一种新的离子源，与以往的离子源相比，尽管电极个数少，也具有与以往的离子源相同的功能。本发明的离子源(1)不具有抑制电子从下游一侧(Z方向一侧)流入的抑制电极。离子源(1)包括：多个电极(5、6、7)，沿离子束(3)的引出方向(Z方向)配置；以及磁场产生部件(11)，配置在所述电极(5、6、7)的下游一侧(Z方向一侧)，至少具有一对磁极(20、21)，该一对磁极(20、21)产生横穿从所述离子源(1)引出的所述离子束(3)的磁场。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110340962.8

专利申请（专利权）人：日新离子机器株式会社

专利发明（设计）人：井内裕

主权项：一种离子源，不具有抑制电子从下游一侧流入的抑制电极，所述离子源的特征在于，所述离子源包括：多个电极，沿离子束的引出方向配置；以及磁场产生部件，配置在所述电极的下游一侧，至少具有一对磁极，该一对磁极产生横穿从所述离子源引出的所述离子束的磁场。

专利地区：日本