在双轴织构NiW合金基片上制备高温超导涂层导体CeO₂缓冲层薄膜的方法专利登记公告

专利名称：在双轴织构NiW合金基片上制备高温超导涂层导体CeO₂缓冲层薄膜的方法

摘要：本发明公开了一种在双轴织构NiW合金基片上制备高温超导涂层导体CeO2缓冲层薄膜的方法，包括以下步骤：将六水合硝酸亚铈(Ce(NO3)3·6H2O)溶解在N-甲基吡咯烷酮(NMP)中，形成无水溶液；向无水溶液中加入聚乙烯基吡咯烷酮(PVP-K30)，制成成膜性好的胶体；再将胶体涂覆在双轴织构NiW合金基片上，随后放入烧结炉中烧结成相，即得二氧化铈(CeO2)高温超导涂层导体缓冲层。该方法的制作成本低，易制得品质良好的二氧化铈(CeO2)薄膜，能有效地发挥涂层导体缓冲层的作用。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110341356.8

专利申请（专利权）人：西南交通大学

专利发明（设计）人：张欣;程翠华;赵勇;张勇;王文涛;雷鸣

主权项：在双轴织构NiW合金基片上制备高温超导涂层导体CeO2缓冲层薄膜的方法，其步骤是：a、无水溶液制备：将六水合硝酸亚铈Ce(NO3)3·6H2O溶解在N?甲基吡咯烷酮NMP中，形成无水溶液；b、胶体制备：在a步的无水溶液中加入聚乙烯基吡咯烷酮形成胶体；c、胶体涂敷与干燥：将b步制得的胶体涂覆在双轴织构NiW合金基片上；d、热分解处理：将涂敷有胶体的基片置于烧结炉中，并在整个热分解处理过程中通入H2体积含量为5％的H2?Ar混合气，使炉温从室温以0.7℃/min的速度升至140℃?220℃，再以1.5?1.7

专利地区：四川