一种铜基三元水滑石薄膜及其制备方法专利登记公告

专利名称：一种铜基三元水滑石薄膜及其制备方法

摘要：本发明涉及一种铜基三元水滑石薄膜及其制备方法，本发明采用原位生长法在铜基体上合成了晶型完整，均匀致密的铜锌铝复合氧化物薄膜材料，且薄膜具有高附着力、不易脱落的优点。发明的制备方法是：将铜片放置于勃姆石溶胶和硝酸锌的混合溶液中，通过控制pH，反应温度，时间等反应条件，在铜片上原位生长CuZnAl-LDHs水滑石薄膜。本发明中的铜源来自于基体表面，与单纯在基片上沉积而得到的水滑石薄膜相比，所制备的薄膜在基体上的附着力更强。该材料具有较好防腐蚀性能，可以用于对铜的保护。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210161808.9

专利申请（专利权）人：北京化工大学

专利发明（设计）人：雷晓东;王琳娜;孙晓明

主权项：一种铜基三元水滑石薄膜的制备方法，具体制备步骤如下：A?将纯度大于90%的铜片，按需要剪成不同的大小和形状，先用乙醇和无水碳酸钠浸泡，然后用1%的盐酸超声清洗，最后用去离子水冲洗干净，烘干备用；B．将异丙醇铝按7?16?g：1L的比例加入到浓度为0.01?0.1mol/L的稀硝酸溶液中，搅拌5?10min，迅速加热到80?120℃，恒温回流2?15小时，冷却后即形成半透明的溶胶；将溶胶进行离心分离，除去沉淀，即得到浓度为0.0343?~0.078343mol/L勃姆石溶胶；C．将步骤B制备的勃姆石溶胶加入

专利地区：北京