一种在双轴织构NiW合金基片上制备高温超导涂层导体NiO/SmBiO3复合缓冲层薄膜的方法专利登记公告

专利名称：一种在双轴织构NiW合金基片上制备高温超导涂层导体NiO/SmBiO3复合缓冲层薄膜的方法

摘要：本发明公开了一种在双轴织构NiW合金基片上制备高温超导涂层导体NiO/SmBiO3复合缓冲层薄膜的方法，其复合缓冲层制备步骤包含。a、NiW合金(200)基片的表面腐蚀修饰，b、NiO缓冲层的氧化热处理、c、SmBiO3缓冲层胶体的制备，d、SmBiO3缓冲层的涂敷，e、SmBiO3缓冲层的烧结成相。本发明中NiO缓冲层的制备采用自氧化外延制备的方法，该方法的制作成本低，工艺简单，易制得品质良好的NiO(200)缓冲层薄膜，并且厚度容易控制，能有效地发挥涂层导体缓冲层的作用。在NiO缓冲层上生长SmBiO

专利类型：发明专利

专利号：CN201110343728.0

专利申请（专利权）人：西南交通大学

专利发明（设计）人：张欣;赵勇;程翠华;张勇;雷鸣;王文涛

主权项：一种在双轴织构NiW合金基片上制备高温超导涂层导体NiO/SmBiO3复合缓冲层薄膜的方法，其复合缓冲层制备步骤包含：a、NiW合金基片的表面腐蚀修饰：将退火处理后双轴织构NiW合金基片，先后经过酒精，丙酮清洗后，在稀释后浓度为30％?50％的硝酸溶液中悬空浸渍40?120s，取出洗净，晾干。再将其在150体积的双氧水和1?4体积氨水的配置的混合修饰液中悬空浸渍20?60s，取出，洗净，晾干；b、氧化热处理：将管式气氛烧结炉快速升温到740?800℃，当温度和通入气氛气流量稳定后，再将腐蚀修饰后的NiW合

专利地区：四川